| 學校 | 國立彰化師範大學 |
|---|---|
| 科系 | 電子學系 |
| 教師姓名 | 柯宗憲 |
| 職稱 | 教授 |
| 技術領域 | 材料與元件 |
| 技術名稱 | 二硫化鉬半導體感測晶片及其製備方法 |
| 技術摘要 | 本創作提供一種二硫化鉬半導體感測晶片及其製備方法，二硫化鉬半導體感測晶片包含一基板、一奈米立體圖案層及一二維材料層。奈米立體圖案層係設於基板；二維材料層係覆蓋於奈米立體圖案層。二硫化鉬半導體感測晶片的製備方法包含設置光阻步驟、微影步驟、蝕刻步驟、移除光阻步驟、沉積步驟及薄膜改質步驟。藉此，本創作透過將二維材料層覆蓋於奈米立體圖案層，可大幅增加二維材料層之比表面積，使待測分子有效地和二維材料層接觸，加強待測分子之拉曼訊號及感測靈敏度。 |
| 成果來源 | 無 |
| 申請專利國家 | 中華民國（新型） |
| 專利證號 | M660269 |
